现在国内研讨光刻机的企业不少，因为光刻机真实太重要了。
因为光刻的工艺水平直接决议芯片的制程水平缓功能水平，光刻成为 IC 制作中最杂乱、最要害的工艺过程， 光刻的中心设备——光刻机更是被誉为半导体工业皇冠上的明珠。现在最先进的是第五代 EUV光刻机，选用极紫外光，可将最小工艺节点推动至 7nm。由荷兰 ASML制作。
国内光刻机技能比较先进，现已量产的应该是上海微电子配备有限责任公司（简称SMEE)，现已完成90nm的量产，现在正在研讨65nm的工艺。
其他的包含 合肥芯硕半导体有限公司、先腾光电科技有限公司、无锡影速半导体科技有限公司等一些企业，在光刻机上衣和有自己的效果。
但这些光刻机企业，现在仍是在本来的路途上一步一步往前走，信任只需尽力，未来也能到达很高的水平。但关于光刻机职业来说，他们的追逐速度尽管很快，但技能进步的速度也是很快。所以，他们只能继续在低端方面，占有必定的商场份额。
假如要进入高端商场，现在国内最先进的光刻机技能，应该是中科院光电技能研讨所的技能效果。
2018年11月29日，新华社报导称，国家严重科研配备研制项目“超分辩光刻配备研制”29日经过检验。据悉，该光刻机由我国科学院光电技能研讨所研制，光刻分辩力到达22纳米，结合两层曝光技能后，未来还可用于制作10纳米级其他芯片。
也便是我国科学院光电技能研讨所的这个效果，直接将我国光刻机技能向前推动好几代。
当然，这个科研效果，间隔完好完成量产，还有好几个关卡要过。
首先是光刻分辩力到达22纳米仅仅一次极限测验，归于单次曝光，还制作不了芯片。
其次是，能够实验室制作芯片，还要完成量产，这又是一个关卡。
但总的来说，现已有了“光刻分辩力到达22纳米”，那么间隔成型机，现已没有那么遥远了。
更重要的是，现在的紫外线光刻技能，在7nm的芯片出来之后，现已需求一个新的工艺打破。就像当年从液浸式到 EUV的技能腾跃一般。
而中科院这个项目，走了别的一条路途。拿一块金属片和非金属片密切触摸，界面上有一些乱蹦的电子;光投影在金属上，这些电子就有序地震动，发生波长几十纳米的电磁波，可用来光刻。这叫外表等离子体光刻。
这条路途的优势是未来的本钱能够低于现在干流的技能，极限或许高于未来的干流技能，在原理上打破分辩力衍射极限，建立了一条高分辩、大面积的纳米光刻配备研制新路线，绕过国外相关知识产权壁垒。
也便是，中科院光电技能研讨所的这条技能途径，对错常有价值的一次技能打破，或许技能发现。有或许让我国的光刻机完成弯道超车，而不是在现在干流的工艺路途上萧规曹随。
